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Infineon Technologies 英飞凌

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE RF PIN 150V 100MA SC79
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二极管类型：PIN - 单
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电流 - 最大值：100mA
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功率耗散（最大值）：
丝印：
外壳：
封装：PG-SC79-2
料号：E2-53
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.056500
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可供数量:咨询
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE RF SW 50V 100MA SC79
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功率耗散（最大值）：
丝印：
外壳：
封装：PG-SC79-2
料号：E2-54
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.056500
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现货库存:0
可供数量:咨询
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE RF CC 150V 100MA SOT-23
参数： *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量:
替代：
二极管类型：PIN - 1 对共阴极
电压 - 峰值反向（最大值）：150V
电流 - 最大值：100mA
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不同?if，f 时的电阻：1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz
功率耗散（最大值）：
丝印：
外壳：
封装：PG-SOT23-3
料号：E2-55
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.056500
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总额：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 80V 250MW SC79-2
参数： *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.4pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:600 毫欧 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量:
替代：
二极管类型：PIN - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：80V
电流 - 最大值：100mA
不同?vr，f 时的电容：0.4pF @ 1V，1MHz
不同?if，f 时的电阻：600 毫欧 @ 10mA，100MHz
功率耗散（最大值）：250mW
丝印：
外壳：
封装：PG-SC79-2
料号：E2-59
包装：
参考价格:￥0.056500
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丝印：
外壳：
封装：PG-SOT323-3
料号：E2-65
包装：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE RF SER 150V 100MA SOT-23
参数： *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.4pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:600 毫欧 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:8V *电流 - 最大值:130mA *不同?vr，f 时的电容:1pF @ 0V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 5mA，10kHz *功率耗散（最大值）:150mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量:
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3
参数： *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 1 对共阴极 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:80V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.4pF @ 1V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:600 毫欧 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:8V *电流 - 最大值:130mA *不同?vr，f 时的电容:1pF @ 0V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:10 欧姆 @ 5mA，10kHz *功率耗散（最大值）:150mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 单 *电压 - 峰值反向（最大值）:50V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.3pF @ 5V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）:250mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量: *二极管类型:PIN - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:100mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 20V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.35 欧姆 @ 100mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:150V *电流 - 最大值:200mA *不同?vr，f 时的电容:0.6pF @ 35V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:1.8 欧姆 @ 5mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:PIN - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:100V *电流 - 最大值:140mA *不同?vr，f 时的电容:0.5pF @ 50V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:12 欧姆 @ 10mA，100MHz *功率耗散（最大值）: 工作温度: 标签: 包装:带卷（TR） 数量: *二极管类型:肖特基 - 1 对串联 *电压 - 峰值反向（最大值）:4V *电流 - 最大值:110mA *不同?vr，f 时的电容:0.35pF @ 0V，1MHz *不同?if，f 时的电阻:- *功率耗散（最大值）:100mW 工作温度:150°C（TJ） 标签: 包装: 数量:
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包装：
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
描述： RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19
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品牌： Infineon Technologies复制 Infineon 英飞凌
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描述： DIODE RF SW 35V 100MA SC79
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丝印：
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参考价格:￥0.056500
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描述： DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
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参考价格:￥0.056500
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参考价格:￥0.056500
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描述： DIODE RF PIN 30V 100MA SC79
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二极管类型：PIN - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：30V
电流 - 最大值：100mA
不同?vr，f 时的电容：0.8pF @ 3V，1MHz
不同?if，f 时的电阻：900 毫欧 @ 10mA，100MHz
功率耗散（最大值）：
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封装：PG-SC79-2
料号：E2-212
包装： 带卷（TR）
参考价格:￥0.056500
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